HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential - Gudina, S.V.; Mikhailov, N.N.; Yakunin, M.V.; Shelushinina, N.G.; Deriushkina, E.V.; Popov, M.R.; Podgornykh, S.M.; Neverov, V.N.; Arapov, Yu.G.; Dvoretsky, S.A. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2019)
Експериментально досліджено поздовжній та холлівський опори в квантовій ямі телуриду ртуті з інвертованим зонним спектром (dQW = 20,3 нм), що виміряні в режимі квантового ефекту Холла (КЕХ) в магнітних полях до 9 Тл та інтервалі температур 2,9–50 К. Проаналізовано температурні залежності ширини переходу між плато КЕХ та провідність зі змінною довжиною стрибка в області плато КЕХ. Дані представлено в універсальній скейлінговій формі як в області переходу між плато, так і в режимі стрибкової провідності. Виявлено вирішальну роль великомасштабного випадкового потенціалу (віддалене легування через спейсер) в процесах локалізації–делокализации носіїв заряду в режимі КЕХ в дослідженій системі.