Анализ флуктуационной проводимости в Y1–хCdxBa2Cu3O7–δ (x = 0–0,4) - Алиев, В. М.; Селим-заде, Р. И.; Рагимов, Дж. А.; Омельченко, Л. В.; Петренко, Е. В. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2020)
Проведено дослідження впливу часткового заміщення Y на Cd на механізм утворення надлишкової провідності в полікристалах Y1–хCdxBa2Cu3O7–δ з x = 0 (Y1), 0,1 (Y2), 0,3 (Y3) та 0,4 (Y4). Зі зростанням х питомий опір зразків ρ помітно зростав, а критична температура переходу в надпровідний (НП) стан Тс зменшувалася. Механізм утворення флуктуаційної провідності σ′(Т) поблизу Тс розглянуто в рамках теорії Асламазова–Ларкіна. Визначено температуру Гінзбурга (ТG), критичну температуру в наближенні середнього поля (Tcmf), температуру 3D–2D кросовера (Т0) та температуру Т01, яка обмежує зверху область НП флуктуацій. Показано, що допування Cd при збільшенні х від 0 до 0,4 приводить до зростання в 2,7 рази довжини когерентності вздовж осі с ξс(0), а відстань між площинами CuO2, d01, збільшується в 2,2 рази.Відповідно моделі локальних пар з аналізу надлишкової провідності визначено температурні залежності псевдощілини (ПЩ), Δ*(Т). Виявлено, що зі зростанням заміщення максимальне значення ПЩ Δ*(Tpair) зменшується від 250,2 до 215,7 К, при цьому реальне значення ПЩ, яке вимірюється при ТG, Δ*(TG), зростає від 217,4 до 224,2 К.