Electric field ionization of boron acceptors in single-crystalline diamond - Altukhov, I.V.; Kagan, M. S.; Paprotskiy, S. K.; Khvalkovskiy, N. A.; Rodionov, N. B.; Bol’shakov, A. P.; Ral’chenko, V. G.; Khmel’nitskiy, R. A. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2020)
У сильному електричному полі (~ 5·105 В/см) досліджено провідність епітаксійних алмазних плівок, які слабколеговані бором. Ідентифіковано механізми провідності в різних полях. Визначено концентрацію вільних носіїв (дірок). Оцінено час рекомбінації дірок на акцепторах бору. Обговорюються механізми іонізації акцепторів бору сильним електричним полем.