Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures - Savelyev, A. P.; Arapov, Yu. G.; Gudina, S. V.; Neverov, V. N.; Podgornykh, S. M.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2020)
Експериментально досліджено поздовжній ρxx(B, T) та холлівський ρxy(B, T) опори в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з одиничними та подвійними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–2.5 Тл та температур T = 1.8–20 К. Показано, що походження температурно-незалежної точки, що знаходиться поблизу ωcτ ≅ 1 на кривих ρxx(B, T), пов’язане зі спільною дією класичного циклотронного руху та квантових інтерференційних ефектів слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії. Отримані результати свідчать, що перехід з діелектричної фази у фазу квантового ефекту Холла є кросовером від слабкої локалізації (квантові інтерференційні ефекти в слабкому магнітному полі) до сильної локалізації при квантуванні магнітних полів у режимі квантового ефекту Холла.