Large area CdxHg1–xTe photodiode with picosecond response time τRC - Ismayilov, N. J.; Rajabli, A. A. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2021)
Наведено конструкцію та технологію виготовлення швидкодійних високоякісних мезафотодіодів Ø 300 мкм зі сполук CdxHg1–xTe для спектрального діапазону 3–5 мкм. Викладено особливості конструкції та технології, а також основні характеристики виготовлених фотодіодів. Показано, що використання напівпрозорого шару нікелю, товщиною 5 нм, осадженого на поверхню n+-шару, дозволяє зменшити послідовний опір Rser до 1–2 Ом і час фотовідповіді τRС до 10–11с.