Superconducting NbN–Al hybrid technology for quantum devices - Mutsenik, E.; Linzen, S.; Il’ichev, E.; Schmelz, M.; Ziegler, M.; Ripka, V.; Steinbach, B.; Oelsner, G.; Hübner, U.; Stolz, R. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2023)
Висока кінетична індуктивність тонких плівок нітриду ніобію NbN може бути використана для реалізації компактних індуктивностей на кристалі у кріоелектронних схемах. Вперше продемонстровано реалізацію гібридної надпровідної технології, що містить виготовлення стандартних алюмінієвих субмікронних джозефсонівських переходів та процес осадження атомного шару NbN. В якості прикладу виготовлено та охарактеризовано поодинокий та масивний Al джозефсонівські переходи разом з NbN-з’єднаннями. Основні параметри Al джозефсонівського переходу, а також надпровідні властивості NbN добре узгоджуються зі значеннями, отриманими за стандартним технологічним процесом виготовлення. Поєднання технологічних процесів отримання шарів NbN з Al джозефсонівським переходом надає можливість реалізувати нове покоління інноваційних надпровідних приладів різного призначення.