Andreev reflection between Aluminum and graphene across van der Waals barriers - Huang, Ko-Fan; Gül, Önder; Taniguchi, Takashi; Watanabe, Kenji; Kim, Philip (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2023)
Представлено планарні переходи алюмінієвий надпровідник–графен, гібридний інтерфейс яких розроблено для переходу від тунельного до прозорого режиму за допомогою атомарно тонкого тунельного бар’єра ван-дер-Ваальса. Без ван-дер-ваальсового бар’єра виявлено, що Al утворює сильнопов’язані контакти з повністю наближеним графеновим каналом під ним. Якщо використовувати широкозонний бар’єр з гексагонального нітриду бору (hBN), то переходи завжди залишаються в режимі слабкого зв’язку з тунельними характеристиками. За допомогою моношарових надпровідників дихалькогенідів перехідних металів (TMDs), такі як MoS2, реалізовано проміжний зв’язок з підвищеною провідністю переходу завдяки процесам Андрєєва. У цьому проміжному режимі виявлено, що опір переходу змінюється дискретно при розгортці перпендикулярного магнітного поля. Період стрибків опору в магнітному полі обернено пропорційний площі переходу, що дозволяє припустити фізичну природу наших спостережень, яка пов'язана з індукованим магнітним полем вихроутворенням у планарному переході.