Growth and crystal structure of CdTe1–xSex (x ≥ 0.75) thin films prepared by the method of high-frequency magnetron sputtering - Kashuba, A. I.; Andriyevsky, B. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2023)
Тонкі плівки CdTe1–xSex (x = 0.75 та 0.95) були осаджені на кварцові підкладки методом високочастотного магнетрон-ного розпилення. Елементний аналіз та уточнення кристалічної структури досліджено за результатами рентгенфлуоресцентного аналізу та рентгенівської дифракції. Тонкі плівки CdTe1–xSex кристалізуються в гексагональній структурі [тип структури — ZnO, просторова група P63mc (№ 186)]. Параметри елементарної комірки зменшуються зі збільшенням вмісту Se в тонких плівках CdTe1–xSex. Значення оптичної забороненої зони для CdTe0.25Se0.75 та CdTe0.05Se0.95 оцінювали за допомогою коор-динат Тауца та положення максимуму першої похідної спек-трів пропускання dT/dλ.