Effect of impurity and radiation defects on the scattering of normal and fluctuation carriers in Yba2Cu3O7–δ and Y1–zPrzBa2Cu3O7–δ single crystals - Azarenkov, N. A.; Khadzhai, G. Ya.; Gevorkyan , E. S.; Goulatis , I.; Chroneos , A.; Feher , A.; Komisarov , A. O.; Vragov , O. Yu.; Kovrigin , V. A.; Vovk, R. V. (ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, 2024)
Досліджено вплив середніх флюенсів (від 10¹⁹ е/см² до 10²⁰ е/см²) опромінення швидкими електронами та зміни концентрації празеодиму в діапазоні 0,0 ≤ z ≤ 0,5 на надлишкову електропровідність оптимально легованих киснем монокристалів YBa2Cu2O7–δ. Опромінення призводить до появи значної кількості дефектів, що викликає зменшення анізотропії, помітне збільшення розсіювання фононів, зниження Tc та розширення надпровідного переходу. За вказаних умов температурна залежність питомого електроопору з високою точністю апро ксимується розсіюванням носіїв заряду на дефектах і фононах, а також флуктуаційною провідністю в моделі Лоуренса–Доніаха. Встановлено, що при флюенсах 0 ≤ Φ ≤ 6,5·10¹⁹ е/см² величина поперечної довжини когерентності ξс(0) зростає зі збільшенням Φ приблизно в три рази та більше ніж у чотири рази, коли вміст празеодиму у зразках збільшується до z ≈ 0,42. В обох випадках точка кросоверу 2D–3D зміщується вгору за температурою. На відміну від випадку опромінення малими флюенсами (Φ ≤ 10¹⁹ е/см²) чи легування празеодимом до концентрацій z ≤ 0,39, опромінення середніми флюенсами або легування празеодимом вищих концентрацій призводить до немонотонної залежності довжини поперечної когерентності ξс(0) від флюенсу опромінення, з характерними максимумами при Φ ~ (7–8)·10¹⁹ е/см² та z ≈ 0,42, що може бути наслідком загального пригнічення надпровідних характеристик.