Naidyuk, Yu. G., K. Gloos, і T. Takabatake. 2000. «Break-Junction Experiments on the Kondo Semiconductor CeNiSn: Tunnelling Versus Direc: Электpонные свойства металлов и сплавов». ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР 26 (7). Харків, Україна:687-93. https://doi.org/10.1063/1.1306407.