Хейфец, О.Л., А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, і Н.В. Мельникова. 2007. «Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы». ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР 33 (2-3). Харків, Україна:374-77. https://doi.org/10.1063/1.2719968.