Глазман, Л. И. і Цукерник, В. М. (1980) «К теории состояния насыщения в полупроводнике с большой частотой рекомбинации носителей», ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР. Харків, Україна, 6(5), с. 599–603. доступний у: http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f06-0599r (дата звернення: 11 Листопад 2025).