Naidyuk, Y. G., Gloos, K. і Takabatake, T. (2000) «Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direc: Электpонные свойства металлов и сплавов», ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР. Харків, Україна, 26(7), с. 687–693. doi: 10.1063/1.1306407.