Хейфец, О., Бабушкин, А., Шабашова, О. і Мельникова, Н. (2007) «Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы», ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР. Харків, Україна, 33(2-3), с. 374–377. doi: 10.1063/1.2719968.