Н. Брандт і Е. Скипетров, «Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления: », Fiz. Nizk. Temp., вип. 22, вип. 8, с. 870–891, Сер 1996.