Y. G. Naidyuk, K. Gloos, і T. Takabatake, «Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direc: Электpонные свойства металлов и сплавов», Fiz. Nizk. Temp., вип. 26, вип. 7, с. 687–693, Лип 2000.