В. В. Андриевский, И. Б. Беркутов, Ю. Ф. Комник, О. А. Миронов, і Т. Е. Волл, «Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах», Fiz. Nizk. Temp., вип. 26, вип. 12, с. 1202–1206, Груд 2000.