О. Хейфец, А. Бабушкин, О. Шабашова, і Н. Мельникова, «Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы», Fiz. Nizk. Temp., вип. 33, вип. 2-3, с. 374–377, Лют 2007.