М. Винославский, П. Белёвский, В. Порошин, В. Вайнберг, і Н. Байдусь, «Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле», Fiz. Nizk. Temp., вип. 46, вип. 6, с. 755–761, Квіт 2020.