[1]
P. A. Belevskii, M. N. Vinoslavskii, V. V. Vainberg, O. S. Pylypchuk, і V. N. Poroshin, «Resistive switching effect in the n-InGaAs/GaAs heterostructures with double tunnel-coupled quantum wells», Fiz. Nyzk. Temp., вип. 48, вип. 2, с. 176–180, Груд 2021.