Хейфец, О., А. Бабушкин, О. Шабашова, і Н. Мельникова. «Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы». ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, вип. 33, вип. 2-3, Лютий 2007, с. 374-7, doi:10.1063/1.2719968.