Винославский, М., П. Белёвский, В. Порошин, В. Вайнберг, і Н. Байдусь. «Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле». ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, вип. 46, вип. 6, Квітень 2020, с. 755-61, doi:10.1063/10.0001248.