Belevskii, P. A., M. N. Vinoslavskii, V. V. Vainberg, O. S. Pylypchuk, і V. N. Poroshin. «Resistive Switching Effect in the n-InGaAs/GaAs Heterostructures With Double Tunnel-Coupled Quantum Wells». ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР, вип. 48, вип. 2, Грудень 2021, с. 176-80, doi:10.1063/10.0009296.