Arapov, Yu.G., G.I. Harus, I.V. Karskanov, V.N. Neverov, N.G. Shelushinina, M.V. Yakunin, O.A. Kuznetsov, L. Ponomarenko, і A. de Visser. «Quantum Hall Effect in p-Ge/Ge_1-xSi_x Heterostructures With Low Hole Mobility: Электронные свойства низкоразмерных систем». ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР 33, no. 2-3 (Лютий 5, 2007): 207–210. дата звернення Листопад 10, 2025. http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f33-0207e.