Хейфец, О.Л., А.Н. Бабушкин, О.А. Шабашова, і Н.В. Мельникова. «Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы». ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР 33, no. 2-3 (Лютий 5, 2007): 374–377. дата звернення Листопад 10, 2025. http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f33-0374r.