Винославский, М.Н., П.А. Белёвский, В.Н. Порошин, В.В. Вайнберг, і Н.В. Байдусь. «Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле». ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР 46, no. 6 (Квітень 21, 2020): 755–761. дата звернення Квітень 17, 2026. http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f46-0755r.