Belevskii, P. A., M. N. Vinoslavskii, V. V. Vainberg, O. S. Pylypchuk, і V. N. Poroshin. «Resistive Switching Effect in the n-InGaAs/GaAs Heterostructures With Double Tunnel-Coupled Quantum Wells». ФІЗИКА НИЗЬКИХ ТЕМПЕРАТУР 48, no. 2 (Грудень 17, 2021): 176–180. дата звернення Листопад 11, 2025. http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f48-0176e.