Гестрин СГ. Торможение заряженных дислокаций примесными атомами в полупроводниковых кристаллах при низких температурах. Fiz. Nizk. Temp. [інтернет]. 10, Квітень 1993 [цит. за 20, Червень 2025];19(4):424-8. доступний у: http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f19-0424r