Naidyuk YG, Gloos K, Takabatake T. Break-junction experiments on the Kondo semiconductor CeNiSn: tunnelling versus direc: Электpонные свойства металлов и сплавов. Fiz. Nizk. Temp. [інтернет]. 10, Липень 2000 [цит. за 20, Червень 2025];26(7):687-93. доступний у: http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f26-0687e