Андриевский ВВ, Беркутов ИБ, Комник ЮФ, Миронов ОА, Волл ТЕ. Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах. Fiz. Nizk. Temp. [інтернет]. 10, Грудень 2000 [цит. за 10, Листопад 2025];26(12):1202-6. доступний у: http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f26-1202r