Arapov Y, Harus G, Karskanov I, Neverov V, Shelushinina N, Yakunin M, Kuznetsov O, Ponomarenko L, Visser A de. Quantum Hall effect in p-Ge/Ge_1-xSi_x heterostructures with low hole mobility: Электронные свойства низкоразмерных систем. Fiz. Nizk. Temp. [інтернет]. 05, Лютий 2007 [цит. за 10, Листопад 2025];33(2-3):207-10. доступний у: http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f33-0207e