Хейфец О, Бабушкин А, Шабашова О, Мельникова Н. Электрические свойства халькогенидов AgGeAsS_3xSe_3(1-x) (0,1 ≤ x ≤ 0,9): Новые электронные материалы и системы. Fiz. Nizk. Temp. [інтернет]. 05, Лютий 2007 [цит. за 10, Листопад 2025];33(2-3):374-7. доступний у: http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f33-0374r