Винославский М, Белёвский П, Порошин В, Вайнберг В, Байдусь Н. Влияние ширины барьера между двойными связанными квантовыми ямами GaAs/InGaAs/GaAs на биполярный транспорт и терагерцевое излучение горячими носителями в латеральном электрическом поле. Fiz. Nizk. Temp. [інтернет]. 21, Квітень 2020 [цит. за 10, Листопад 2025];46(6):755-61. доступний у: http://80.92.230.95/index.php/fnt/article/view/f46-0755r