Особенности поведения слоистых кристаллов TlInS2 и TlGaSe2 вблизи фазовых переходов в постоянном электрическом поле
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.593863Ключові слова:
Анотація
Исследовано влияние ориентирующего электрического поля на аномалии температурной зависимости диэлектрической проницаемости e кристаллов TlInS2 и TlGaSe2, а также пироэлектрического тока i в TlInS2 вблизи фазовых переходов (ФП). В обоих кристаллах установлена идентичность трансформации профиля e(T) в точке ФП в несоизмеримую фазу под действием постоянного электрического поля, приложенного в направлении плоскости слоя. Обнаружено, что максимум e(T) в TlGaSe2 и i(T) в TlInS2 в точке ФП в соизмеримую полярную фазу смещается в определенном диапазоне ориентирующих электрических полей и знак температурных смещений зависит от величины внешнего электрического поля. Предложена интерпретация экспериментальных результатов.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.

Downloads
Опубліковано
2000-01-10
Як цитувати
(1)
К. Р. Аллахвердиев, Н. Д. Ахмед-заде, Т. Г. Мамедов, Т. С. Мамедов, and Мир-Гасан Ю. Сеидов, Особенности поведения слоистых кристаллов TlInS2 и TlGaSe2 вблизи фазовых переходов в постоянном электрическом поле, Low Temp. Phys. 26, (2000) [Fiz. Nizk. Temp. 26, 76-83, (2000)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.593863.
Номер
Розділ
Низькоpозмірні та невпорядковані системи