Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe2 и TlInS2

Автор(и)

  • Н. А. Абдуллаев Институт физики Академии наук Азербайджанской республики, пр. Джавида, 33, г. Баку, 370143, Азербайджан
  • Т. Г. Мамедов Институт физики Академии наук Азербайджанской республики, пр. Джавида, 33, г. Баку, 370143, Азербайджан
  • Р. А. Сулейманов Институт физики Академии наук Азербайджанской республики, пр. Джавида, 33, г. Баку, 370143, Азербайджан

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.1399208

Ключові слова:

PACS: 65.70. y

Анотація

Приведены данные экспериментальных исследований теплового расширения слоистых монокристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в плоскости слоев и в перпендикулярном слоям направлении в области температур 20-300 К. Обнаруженные особенности теплового расширения обсуждаются в свете имеющихся данных об упругих свойствах TlGaSe2 и TlInS2. Выявлено, что отличия в температурном поведении коэффициентов теплового расширения в плоскости слоев a||(T) в кристаллах TlGaSe2 и TlInS2 обусловлены различной степенью анизотропии этих кристаллов, а также разной величиной "межслоевой" упругой постоянной C13.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2001-08-10

Як цитувати

(1)
Н. А. Абдуллаев, Т. Г. Мамедов, and Р. А. Сулейманов, Тепловое расширение слоистых монокристаллов TlGaSe2 и TlInS2, Low Temp. Phys. 27, (2001) [Fiz. Nizk. Temp. 27, 915-920, (2001)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1399208.

Номер

Том 27 № 8 (2001)

Розділ

Динаміка кристалічної гратки

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають