Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/1.1739163Ключові слова:
PACS: 72.10.Fk, 72.20.Dp, 72.80.EyАнотація
Показано, что при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях переходных элементов в полупроводниках возникает вклад в спиновую восприимчивость от локализованной на примесях электронной плотности. Связанная с ним константа Кюри имеет необычную зависимость от концентрации примесей. Получено выражение для спиновой восприимчивости резонансно рассеивающихся электронов в рамках подхода Фриделя. Экспериментальные данные, полученные на селениде ртути с примесями железа, подтвердили теоретические результаты и позволили определить эффективный спин резонансного состояния.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.

Downloads
Опубліковано
2004-03-24
Як цитувати
(1)
В.И. Окулов, Г.А. Альшанский, В.Л. Константинов, А.В. Королев, Э.А. Нейфельд, Л.Д. Сабирзянова, Е.А. Памятных, and С.Ю. Паранчич, Магнитная восприимчивость резонансных донорных примесей переходных элементов в полупроводниках, Low Temp. Phys. 30, (2004) [Fiz. Nizk. Temp. 30, 558-562, (2004)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1739163.
Номер
Розділ
Низькотемпературний магнетизм