К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо-ванадий-алюминий

Автор(и)

  • В.И. Окулов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • В.Е. Архипов Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • Т.Е. Говоркова Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • А.В. Королев Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • В.В. Марченков Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • К.А. Окулова Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • Е.И. Шредер Институт физики металлов УрО РАН, ул. С. Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620041, Россия
  • Х.В. Вебер Атоминститут австрийских университетов, г. Вена, А-1020, Австрия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.2746843

Ключові слова:

сплавы железо-ванадий-алюминий, электросопротивление, коэффициент Холла, магнитная восприимчивость, плотность электронных состояний.

Анотація

Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной восприимчивости сплавов железо-ванадий-алюминий и установлено, что сплав Fe1,9V1,1Al обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных сплавов. Показано, что в интервале температур ниже 30 К полупроводниковый сплав обладает характерным низкотемпературным масштабом наблюдавшихся зависимостей, который может отвечать проявлению узкой псевдощели в электронной плотности состояний. Предложено простое теоретическое описание эффектов псевдощели. В результете согласованной подгонки теоретических зависимостей к экспериментальным определена эффективная ширина псевдощели (~ 1 мэВ) и ее относительная глубина (~102).

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2007-08-08

Як цитувати

(1)
В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, and Х.В. Вебер, К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо-ванадий-алюминий, Low Temp. Phys. 33, (2007) [Fiz. Nizk. Temp. 33, 907-915, (2007)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.2746843.

Номер

Том 33 № 8 (2007)

Розділ

Квантові ефекти в напівпровідниках та діелектриках

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 4 > >>