Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках

Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами

Автор(и)

  • В.И. Окулов Институт физики металлов УрО РАН ул. Софьи Ковалевской, 18, г. Екатеринбург, 620219, Россия

DOI (Low Temperature Physics):


https://doi.org/10.1063/1.1820020

Ключові слова:

PACS: 72.10.Fk, 72.20.Dp

Анотація

Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках. Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении энергией Ферми энергии резонансного уровня, концентрационный максимум подвижности, температурная и концентрационная зависимости магнитной восприимчивости локализованных резонансных состояний. Обсуждаются пределы применимости полученных результатов.

Завантаження

Дані завантаження ще не доступні.

Downloads

Опубліковано

2004-09-21

Як цитувати

(1)
В.И. Окулов, Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках: Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами, Low Temp. Phys. 30, (2004) [Fiz. Nizk. Temp. 30, 1194-1202, (2004)] DOI: https://doi.org/10.1063/1.1820020.

Номер

Том 30 № 11 (2004)

Розділ

Статті

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають

1 2 3 > >>