Deep state in the bandgap and photoluminescence of Zn1–xMnxO
DOI (Low Temperature Physics):
https://doi.org/10.1063/10.0002895Ключові слова:
photoluminescence, ZnO:Mn, impurity photoionization, intracenter transitions.Анотація
Домішкове поглинання в Zn1–xMnxO формується дозволеними в дипольному наближенні p–s-переходами з глибокого антизв’язувального d–p гібридного (pdh) стану в зону провідності. Досліджено фотолюмінесценцію монокристалів Zn1–xMnxO в діапазоні температур 7–340 K при лазерному збудженні 3,06 еВ. Спостерігалася інтенсивна смуга фотолюмінесценції в області енергій 2,40–1,6 eВ з максимумом 2,17eВ. Визначено енергію іонізації домішкового центра 2,35eВ. Аналіз форми смуги фотолюмінесценції, а також близький збіг головної лінії цієї смуги і краю домішкового поглинання дозволяють однозначно інтерпретувати цю смугу як результат випромінювальних дипольно дозволених s–p-переходів із зони провідності на домішковий pdh-рівень.Завантаження
Дані завантаження ще не доступні.

Downloads
Опубліковано
2020-11-18
Як цитувати
(1)
V.I. Sokolov, N. B. Gruzdev, V. N. Churmanov, V. V. Menshenin, and G. A. Emelchenko, Deep state in the bandgap and photoluminescence of Zn1–xMnxO , Low Temp. Phys. 47, (2020) [Fiz. Nizk. Temp. 47, 38-45, (2020)] DOI: https://doi.org/10.1063/10.0002895.
Номер
Розділ
Статті